Gate driver

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Programmabile da DigiKey	Configurazione comandata	Tipo di canale	N. di driver	Tipo di gate	Tensione - Alimentazione	Tensione logica - VIL, VIH	Corrente - Uscita di picco (source, drain)	Tipo di ingresso	Tensione high-side - Max (bootstrap)	Tempo di salita/discesa (tip.)	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
DGD0211CWT-7 IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25-5 Diodes Incorporated	17’487 In magazzino 33’000 Fabbrica	1 : Fr. 0.44000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.19491 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,9A, 1,8A	Invertente, Non invertente	-	15ns, 15ns	-40°C ~ 125°C (TA)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TSOT-25
1EDN8511BXUSA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	16’568 In magazzino	1 : Fr. 0.47000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.21058 Nastrato in bobina (TR)	EiceDRIVER™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N, canale P)	8 ~ 20V	1,2V, 1,9V	4A, 8A	Invertente, Non invertente	-	6,5ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	PG-SOT23-6-2
1EDN7512BXTSA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Infineon Technologies	15’130 In magazzino	1 : Fr. 0.47000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.21058 Nastrato in bobina (TR)	EiceDRIVER™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4.5 ~ 20V	-	4A, 8A	Invertente, Non invertente	-	6,5ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	PG-SOT23-5-1
DGD0215WT-7 IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25 Diodes Incorporated	11’048 In magazzino	1 : Fr. 0.50000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.22821 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,9A, 1,8A	Invertente, Non invertente	-	15ns, 15ns	-40°C ~ 125°C (TA)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	TSOT-25 (tipo TH)
ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Diodes Incorporated	58’314 In magazzino	1 : Fr. 0.51000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.22931 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	40V (max)	-	8A, 8A	Non invertente	-	13,4ns, 12,4ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6
FAN3111ESX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 onsemi	136’838 In magazzino	1 : Fr. 0.53000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.24038 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	-	1,4A, 1,4A	Non invertente	-	9ns, 8ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
IRS44273LTRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Infineon Technologies	8’378 In magazzino	1 : Fr. 0.54000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.24255 Nastrato in bobina (TR)	µHVIC™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	10,2 ~ 20V	0,8V, 2,5V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	25ns, 25ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
IRS10752LTRPBF IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	5’560 In magazzino	1 : Fr. 0.55000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.25177 Nastrato in bobina (TR)	µHVIC™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato superiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	10 ~ 18V	0,8V, 2,2V	160 mA, 240 mA	Non invertente	100 V	85ns, 40ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	PG-SOT23-6
ADP3110AKCPZ-RL IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN onsemi	36’588 In magazzino	1 : Fr. 0.57000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.25829 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Data di acquisto finale	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	MOSFET (canale N)	4,6 ~ 13,2V	0,8V, 2V	-	Invertente, Non invertente	35 V	20ns, 11ns	0°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-VFDFN piazzola esposta	8-DFN (3x3)
MCP1416T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	103’583 In magazzino	1 : Fr. 0.59000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.44800 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1402T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	43’456 In magazzino	1 : Fr. 0.60000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.45600 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	500mA, 500mA	Non invertente	-	19ns, 15ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1415T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	17’366 In magazzino	1 : Fr. 0.60000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.44800 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1401T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	7’632 In magazzino	1 : Fr. 0.60000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.45600 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	500mA, 500mA	Invertente	-	19ns, 15ns	-40°C ~ 125°C	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
2EDN7524FXTMA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Infineon Technologies	10’697 In magazzino	1 : Fr. 0.64000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’500 : Fr. 0.29582 Nastrato in bobina (TR)	EiceDRIVER™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	MOSFET (canale N)	4.5 ~ 20V	-	5A, 5A	Non invertente	-	5,3ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	PG-DSO-8-60
IRS2008STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	30’997 In magazzino	1 : Fr. 0.67000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’500 : Fr. 0.31552 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	MOSFET (canale N)	10 ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Non invertente	200 V	70ns, 30ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
UCC27517DBVR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Texas Instruments	20’799 In magazzino	1 : Fr. 0.67000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.31096 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	1V, 2,4V	4A, 4A	Invertente, Non invertente	-	8ns, 7ns	-40°C ~ 140°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
FAN3111CSX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 onsemi	4’842 In magazzino	1 : Fr. 0.68000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.31579 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	-	1,4A, 1,4A	Invertente, Non invertente	-	9ns, 8ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MIC4414YFT-TR IC GATE DRVR LOW-SIDE 4TQFN Microchip Technology	6’202 In magazzino	1 : Fr. 0.71000 Nastro pre-tagliato (CT) 5’000 : Fr. 0.55216 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	0,8V, 3V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	12ns, 12ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	4-UQFN	4-TQFN (1,2x1,2)
UCC27517ADBVR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Texas Instruments	6’407 In magazzino	1 : Fr. 0.73000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.34171 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	1V, 2,4V	4A, 4A	Invertente, Non invertente	-	8ns, 7ns	-40°C ~ 140°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP14A0152T-E/CH IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SOT23-6 Microchip Technology	5’787 In magazzino	1 : Fr. 0.73000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.56800 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Singolo	1	MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	11,5ns, 10ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6
UCC27517DBVT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Texas Instruments	8’627 In magazzino	1 : Fr. 0.79000 Nastro pre-tagliato (CT) 250 : Fr. 0.42520 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	1V, 2,4V	4A, 4A	Invertente, Non invertente	-	8ns, 7ns	-40°C ~ 140°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
2EDN7524GXTMA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON Infineon Technologies	13’586 In magazzino	1 : Fr. 0.85000 Nastro pre-tagliato (CT) 4’000 : Fr. 0.39829 Nastrato in bobina (TR)	EiceDRIVER™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	MOSFET (canale N)	4.5 ~ 20V	-	5A, 5A	Non invertente	-	5,3ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-WDFN piazzola esposta	PG-WSON-8-1
MIC4604YMT-TR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN Microchip Technology	5’245 In magazzino	1 : Fr. 0.85000 Nastro pre-tagliato (CT) 5’000 : Fr. 0.65688 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	MOSFET (canale N)	5,25 ~ 16V	0,8V, 2,2V	1,5A, 1A	Non invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	10-UFDFN piazzola esposta	10-TDFN (2,5x2,5)
IRS2104STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	1’525 In magazzino	1 : Fr. 0.86000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’500 : Fr. 0.40888 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	IGBT, MOSFET (canale N)	10 ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Non invertente	600 V	70ns, 35ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
IRS2108STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	1’520 In magazzino	1 : Fr. 0.86000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’500 : Fr. 0.40888 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	IGBT, MOSFET (canale N)	10 ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Invertente, Non invertente	600 V	100ns, 35ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC

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I circuiti integrati di gestione della potenza (PMIC) per gate driver sono dispositivi che forniscono isolamento, amplificazione, spostamento di riferimento, bootstrapping o altre funzioni necessarie per interfacciare i segnali di un dispositivo di controllo in un'applicazione di conversione di potenza ai dispositivi a semiconduttore (solitamente FET o IGBT) attraverso i quali passa l'alimentazione da controllare. Le funzioni specifiche offerte da un particolare dispositivo variano, ma sono correlate alla configurazione dei semiconduttori che deve pilotare.

Gate driver

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