NP110N03PUG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Prodotti a semiconduttore discreti

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NP110N03PUG-E1-AY
Codice DigiKey	NP110N03PUG-E1-AY-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	NP110N03PUG-E1-AY
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 110 A (Tc) 1,8W (Ta), 288W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NP110N03PUG-E1-AY Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	110 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5mohm a 55A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	380 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	24600 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta), 288W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	NP110N03

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