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TO-252-3
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NP90N03VHG-E1-AY

Codice DigiKey
NP90N03VHG-E1-AY-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Codice produttore
NP90N03VHG-E1-AY
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 90 A (Tc) 1,2W (Ta), 105W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NP90N03VHG-E1-AY Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,2mohm a 45A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,2W (Ta), 105W (Tc)
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
NP90N03
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