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RJK5030DPD-00#J2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | RJK5030DPD-00#J2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RJK5030DPD-00#J2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5A MP3A |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 5 A (Ta) 41,7W (Tc) A montaggio superficiale MP-3A |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RJK5030DPD-00#J2 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 1,6ohm a 2A, 10V |
Produttore | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 550 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 41,7W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 500 V | Contenitore del fornitore MP-3A |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK5P50D(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 3’549 | 264-TK5P50D(T6RSS-Q)CT-ND | Fr. 1.70000 | Diretto |
| AOD5N40 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1360-2-ND | Fr. 0.20928 | Simile |
| FDD5N50NZFTM | onsemi | 0 | FDD5N50NZFTMTR-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| FQD5N50CTM-WS | onsemi | 0 | FQD5N50CTM-WS-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| SIHD5N50D-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD5N50D-E3-ND | Fr. 0.37712 | Simile |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.59909 | Fr. 1’797.27 |
| 6’000 | Fr. 0.59594 | Fr. 3’575.64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.59909 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.64762 |
