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QS5U12TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | QS5U12TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS5U12CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS5U12DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | QS5U12TR |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale TSMT5 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | QS5U12TR Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 100mohm a 2A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 3.9 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 175 pF @ 10 V | |
Funzione FET | Diodo Schottky (isolato) | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,25W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TSMT5 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.20350 | Fr. 610.50 |
| 6’000 | Fr. 0.18772 | Fr. 1’126.32 |
| 9’000 | Fr. 0.17967 | Fr. 1’617.03 |
| 15’000 | Fr. 0.17064 | Fr. 2’559.60 |
| 21’000 | Fr. 0.16801 | Fr. 3’528.21 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.20350 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.21998 |
Svizzera