Name: BD2320UEFJ-LAE2
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BD2320UEFJ-LAE2TR-ND
Price: 1.87013 CHF
Availability: InStock

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BD2320UEFJ-LAE2
Codice DigiKey	846-BD2320UEFJ-LAE2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-BD2320UEFJ-LAE2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-BD2320UEFJ-LAE2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	BD2320UEFJ-LAE2
Descrizione	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Semiponte Driver gate IC Non invertente 8-HTSOP-J
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BD2320UEFJ-LAE2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Circuiti integrati (CI) CI di gestione dell'alimentazione (PMIC) Gate driver	Tensione logica - VIL, VIH 1,7V, 1,5V
Produttore Rohm Semiconductor	Corrente - Uscita di picco (source, drain) 3,5 A, 4,5 A
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Tipo di ingresso Non invertente
Stato componente Attivo	Tensione high-side - Max (bootstrap) 100 V
Programmabile da DigiKey Non verificato	Tempo di salita/discesa (tip.) 8ns, 6ns
Configurazione comandata Semiponte	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 125°C
Tipo di canale Indipendente	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
N. di driver 2	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) piazzola esposta
Tipo di gate MOSFET (canale N)	Contenitore del fornitore 8-HTSOP-J
Tensione - Alimentazione 7,5 ~ 14,5V	Codice componente base BD2320

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.96093	Fr. 2’402.32

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.73000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.87013

BD2320UEFJ-LAE2