BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor | Prodotti a semiconduttore discreti

BSM600D12P3G001 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

Rohm Semiconductor

In magazzino: 8

Prezzo unitario : Fr. 20’371.93000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSM600D12P3G001
Codice DigiKey	846-BSM600D12P3G001-ND
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	BSM600D12P3G001
Descrizione	MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	Carburo di silicio (SiC)
Configurazione	2 canali N (semiponte)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	600 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	-
Vgs(th) max a Id	5,6V a 182mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	31000pF a 10V
Potenza - Max	2450W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	Modulo
Codice componente base	BSM600