



R6007ENX | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6007ENX-ND |
Produttore | |
Codice produttore | R6007ENX |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante TO-220FM |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6007ENX Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V |
Confezionamento Sfuso | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 390 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220FM |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 620mohm a 2,4A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | Fr. 1.30000 | Simile |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | Fr. 3.97000 | Simile |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK8A65WS5X-ND | Fr. 2.10000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.65000 | Fr. 2.65 |
| 10 | Fr. 1.72400 | Fr. 17.24 |
| 100 | Fr. 1.19550 | Fr. 119.55 |
| 500 | Fr. 0.96966 | Fr. 484.83 |
| 1’000 | Fr. 0.89708 | Fr. 897.08 |
| 2’000 | Fr. 0.83608 | Fr. 1’672.16 |
| 5’000 | Fr. 0.77316 | Fr. 3’865.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.65000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.86465 |

