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R6012FNJTL

Codice DigiKey
846-R6012FNJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
R6012FNJTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 12 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6012FNJTL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
510mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTS
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.36773Fr. 1’367.73
2’000Fr. 1.35700Fr. 2’714.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.36773
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.47852