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TO-220-3
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R6012FNX

Codice DigiKey
R6012FNX-ND
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R6012FNX
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 12 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6012FNX Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
510mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Contenitore/involucro
TO-220-3 Full Pack
Codice componente base
R6012
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500Fr. 2.00960Fr. 1’004.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.00960
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.17238