Name: SPA07N60C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPA07N60C3XKSA1-ND
Price: 2.45387 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 7,3 A (Tc) 32W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-31

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SPA07N60C3XKSA1
Codice DigiKey	SPA07N60C3XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPA07N60C3XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 7,3 A (Tc) 32W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-31
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPA07N60C3XKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790 pF @ 25 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 32W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO220-3-31
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,3 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3 Full Pack
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPA07N60
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 4,6A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPA60R600P7XKSA1	Infineon Technologies	0	IPA60R600P7XKSA1-ND	Fr. 1.53000	Consigliato dal produttore
IPA60R600P6XKSA1	Infineon Technologies	0	IPA60R600P6XKSA1-ND	Fr. 1.71000	Simile
STP10NK80ZFP	STMicroelectronics	809	497-5972-5-ND	Fr. 4.46000	Diretto
R6007ENX	Rohm Semiconductor	490	R6007ENX-ND	Fr. 2.65000	Simile
R6009ENX	Rohm Semiconductor	183	R6009ENX-ND	Fr. 3.52000	Simile

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