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Canale N 800 V 8 A (Ta) 50W (Tc) Foro passante TO-220FM
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R8008ANX

Codice DigiKey
R8008ANX-ND
Produttore
Codice produttore
R8008ANX
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 8 A (Ta) 50W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R8008ANX Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
39 nC @ 10 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1080 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,03ohm a 4 A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
R8009KNXC7GRohm Semiconductor1’241846-R8009KNXC7GCT-NDFr. 4.62000Simile
FCPF1300N80Zonsemi240FCPF1300N80ZOS-NDFr. 3.02000Simile
IPA60R1K0CEXKSA1Infineon Technologies320448-IPA60R1K0CEXKSA1-NDFr. 1.22000Simile
IPAW70R950CEXKSA1Rochester Electronics, LLC10’8002156-IPAW70R950CEXKSA1-NDFr. 0.77340Simile
STF6N60M2STMicroelectronics1’694497-13948-5-NDFr. 1.79000Simile
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Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500Fr. 2.27696Fr. 1’138.48
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.27696
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.46139