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RGT8NS65DGTL | |
|---|---|
Codice DigiKey | RGT8NS65DGTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RGT8NS65DGTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RGT8NS65DGTLDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RGT8NS65DGTL |
Descrizione | IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | IGBT Trench Field Stop 650 V 8 A 65 W A montaggio superficiale LPDS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Tipo di ingresso Standard |
Produttore Rohm Semiconductor | Carica del gate 13.5 nC |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Td (on/off) a 25°C 17ns/69ns |
Stato componente Non per nuovi progetti | Condizione di test 400V, 4A, 50ohm, 15V |
Tipo di IGBT Trench Field Stop | Tempo di recupero inverso (Trr) 40 ns |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 650 V | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Corrente - Collettore (Ic) max 8 A | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 12 A | Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB |
Vce(on) max a Vge, Ic 2,1V a 15V, 4A | Contenitore del fornitore LPDS |
Potenza - Max 65 W | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RFUH20TB4SNZC9 | Rohm Semiconductor | 979 | 846-RFUH20TB4SNZC9-ND | Fr. 2.16000 | Consigliato dal produttore |
| RGT8NL65DGTL | Rohm Semiconductor | 972 | RGT8NL65DGTLCT-ND | Fr. 2.21000 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.58000 | Fr. 1.58 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.51345 | Fr. 513.45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.70798 |
