


RQ3E100BNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RQ3E100BNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3E100BNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3E100BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RQ3E100BNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RQ3E100BNTB Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 10,4mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1100 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-HSMT (3,2x3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.50000 | Fr. 0.50 |
| 10 | Fr. 0.32500 | Fr. 3.25 |
| 100 | Fr. 0.21330 | Fr. 21.33 |
| 500 | Fr. 0.16178 | Fr. 80.89 |
| 1’000 | Fr. 0.14516 | Fr. 145.16 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.10282 | Fr. 308.46 |
| 6’000 | Fr. 0.09638 | Fr. 578.28 |
| 9’000 | Fr. 0.09200 | Fr. 828.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.50000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.54050 |


