Name: RQ3E120BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120BNTBTR-ND
Price: 0.81075 CHF
Availability: InStock

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RQ3E120BNTB
Codice DigiKey	RQ3E120BNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3E120BNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3E120BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3E120BNTB
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 12 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ3E120BNTB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 9,3mohm a 12A, 10V	Codice componente base RQ3E120

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.75000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.81075

RQ3E120BNTB