Name: RQ3L050GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3L050GNTBTR-ND
Price: 1.09181 CHF
Availability: InStock

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RQ3L050GNTB
Codice DigiKey	RQ3L050GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3L050GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3L050GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3L050GNTB
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 12 A (Tc) 14.8W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ3L050GNTB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 25µA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2.8 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Non per nuovi progetti	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 300 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 14.8W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 61mohm a 5A, 10V	Codice componente base RQ3L050

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Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN6069SFG-13	Diodes Incorporated	0	DMN6069SFG-13-ND	Fr. 0.27073	Simile
PJQ4460AP_R2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJQ4460AP_R2_00001TR-ND	Fr. 0.13766	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.01000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.09181

RQ3L050GNTB