
SI7113ADN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7113ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7113ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7113ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7113ADN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 10,8 A (Tc) 27,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7113ADN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 132mohm a 3,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,6V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 515 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 27,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.68000 | Fr. 0.68 |
10 | Fr. 0.46200 | Fr. 4.62 |
100 | Fr. 0.30060 | Fr. 30.06 |
500 | Fr. 0.23098 | Fr. 115.49 |
1’000 | Fr. 0.20853 | Fr. 208.53 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.17808 | Fr. 534.24 |
6’000 | Fr. 0.16563 | Fr. 993.78 |
9’000 | Fr. 0.15288 | Fr. 1’375.92 |
15’000 | Fr. 0.15009 | Fr. 2’251.35 |
21’000 | Fr. 0.14522 | Fr. 3’049.62 |
30’000 | Fr. 0.14450 | Fr. 4’335.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.68000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.73508 |