Name: RQ6E045RPTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E045RPTR-ND
Price: 1.24315 CHF
Availability: OutOfStock

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RQ6E045RPTR
Codice DigiKey	RQ6E045RPTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ6E045RPCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ6E045RPDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ6E045RPTR
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 4,5 A (Ta) 950mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1350 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 950mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base RQ6E045

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RRQ045P03HZGTR	Rohm Semiconductor	2’955	846-RRQ045P03HZGTRCT-ND	Fr. 1.57000	Equivalente parametrico
SQ3481EV-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	SQ3481EV-T1_GE3CT-ND	Fr. 0.83000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.15000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.24315

RQ6E045RPTR