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RS1E320GNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS1E320GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1E320GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1E320GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RS1E320GNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 38A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 34W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RS1E320GNTB Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 42.8 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2850 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 34W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-HSOP |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,9mohm a 32A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1E321GNTB1 | Rohm Semiconductor | 2’295 | RS1E321GNTB1CT-ND | Fr. 2.44000 | Simile |
| BSC020N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 25’355 | BSC020N03MSGATMA1CT-ND | Fr. 1.53000 | Simile |
| BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | 16’400 | BSC0902NSATMA1CT-ND | Fr. 1.12000 | Simile |
| FDMC7660S | onsemi | 7 | FDMC7660SFSCT-ND | Fr. 1.67000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.52000 | Fr. 1.52 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.48706 | Fr. 1’217.65 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.52000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.64312 |





