Canale N 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
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RS1E350BNTB1

Codice DigiKey
846-RS1E350BNTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-RS1E350BNTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-RS1E350BNTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
RS1E350BNTB1
Descrizione
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
185 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7900 pF @ 15 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 35W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7mohm a 35A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
RS1E350BNTBRohm Semiconductor750RS1E350BNTBCT-NDFr. 2.06000Equivalente parametrico
In magazzino: 2’207
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.66000Fr. 2.66
10Fr. 1.93800Fr. 19.38
100Fr. 1.51420Fr. 151.42
500Fr. 1.32794Fr. 663.97
1’000Fr. 1.26729Fr. 1’267.29
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 1.15498Fr. 2’887.45
5’000Fr. 1.11543Fr. 5’577.15
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.66000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.87546