RS1L145GNTB Rohm Semiconductor | FET, MOSFET singoli

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RS1L145GNTB
Codice DigiKey	RS1L145GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1L145GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1L145GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS1L145GNTB
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 14,5A (Ta), 47A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,7V a 200µA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 37 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1880 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14,5A (Ta), 47A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 9,7mohm a 14,5A, 10V	Codice componente base RS1L

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RS6L090BGTB1	Rohm Semiconductor	700	846-RS6L090BGTB1CT-ND	Fr. 2.45000	Consigliato dal produttore
BSZ099N06LS5ATMA1	Infineon Technologies	4’268	448-BSZ099N06LS5ATMA1CT-ND	Fr. 1.14000	Simile
DMT6010LPS-13	Diodes Incorporated	3’046	DMT6010LPS-13DICT-ND	Fr. 1.29000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.55116

RS1L145GNTB