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2SAR572DGTL
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RSD221N06TL

Codice DigiKey
RSD221N06TL-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RSD221N06TL
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 22 A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
26mohm a 22A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1500 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
CPT3
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2027
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.47284Fr. 1’182.10
5’000Fr. 0.44200Fr. 2’210.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.47284
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.51114