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RSD221N06TL | |
|---|---|
Codice DigiKey | RSD221N06TL-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RSD221N06TL |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 22 A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale CPT3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Data di acquisto finale | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 10 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore CPT3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 26mohm a 22A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RD3P200SNTL1 | Rohm Semiconductor | 0 | RD3P200SNTL1CT-ND | Fr. 2.39000 | Consigliato dal produttore |
| SQD23N06-31L_GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SQD23N06-31L_GE3CT-ND | Fr. 1.99000 | Simile |
| STD30N6LF6AG | STMicroelectronics | 2’497 | 497-16302-1-ND | Fr. 1.13000 | Simile |
| SUD23N06-31-GE3 | Vishay Siliconix | 7’785 | SUD23N06-31-GE3CT-ND | Fr. 1.25000 | Simile |
| AOD4130 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 40’110 | 785-1216-1-ND | Fr. 1.20000 | Simile |
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2027
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.46043 | Fr. 1’151.08 |
| 5’000 | Fr. 0.43040 | Fr. 2’152.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.46043 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.49772 |
