R8008ANJFRGTL
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RSJ650N10TL

Codice DigiKey
RSJ650N10TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RSJ650N10TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RSJ650N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RSJ650N10TL
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 65 A (Ta) 100W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RSJ650N10TL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
65 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,1mohm a 32,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
10780 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTS
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
RSJ650
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In magazzino: 600
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 6.02000Fr. 6.02
10Fr. 4.08200Fr. 40.82
100Fr. 3.09670Fr. 309.67
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 2.53000Fr. 2’530.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 6.02000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 6.50762