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SCT2H12NYTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | SCT2H12NYTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SCT2H12NYTB |
Descrizione | SICFET N-CH 1700V 4A TO268 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) A montaggio superficiale TO-268 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SCT2H12NYTB Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1700 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,5ohm a 1,1A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 410µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 14 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -6V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 184 pF @ 800 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 44W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-268 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 12
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.77000 | Fr. 5.77 |
| 10 | Fr. 3.89800 | Fr. 38.98 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.77000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.23737 |
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