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SCT2H12NYTB è obsoleto e non è più in produzione.
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SCT2H12NYTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | SCT2H12NYTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SCT2H12NYTB |
Descrizione | SICFET N-CH 1700V 4A TO268 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) A montaggio superficiale TO-268 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SCT2H12NYTB Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 410µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 18 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) +22V, -6V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 184 pF @ 800 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 44W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 1700 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-268 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5ohm a 1,1A, 18V | Codice componente base |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT2H12NWBTL1 | Rohm Semiconductor | 611 | 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND | Fr. 4.65000 | Consigliato dal produttore |
Obsoleto
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