
IMW65R107M1HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMW65R107M1HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMW65R107M1HXKSA1 |
Descrizione | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20 A (Tc) 75W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMW65R107M1HXKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,7V a 3mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -5V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 496 pF @ 400 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-41 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 142mohm a 8,9A, 18V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 318 | MSC060SMA070B-ND | Fr. 4.35000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 6.46000 | Fr. 6.46 |
| 30 | Fr. 3.69333 | Fr. 110.80 |
| 120 | Fr. 3.08517 | Fr. 370.22 |
| 510 | Fr. 2.63922 | Fr. 1’346.00 |
| 1’020 | Fr. 2.47654 | Fr. 2’526.07 |
| 2’010 | Fr. 2.34253 | Fr. 4’708.49 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 6.46000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.98326 |










