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IMW65R107M1HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMW65R107M1HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMW65R107M1HXKSA1 |
Descrizione | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20 A (Tc) 75W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMW65R107M1HXKSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 142mohm a 8,9A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,7V a 3mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 15 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 496 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore del fornitore | PG-TO247-3-41 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 346
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.58000 | Fr. 5.58 |
| 30 | Fr. 3.19000 | Fr. 95.70 |
| 120 | Fr. 2.66458 | Fr. 319.75 |
| 510 | Fr. 2.27947 | Fr. 1’162.53 |
| 1’020 | Fr. 2.13897 | Fr. 2’181.75 |
| 2’010 | Fr. 2.10119 | Fr. 4’223.39 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.03198 |
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