MOSFET - Array 100V 3 A (Ta), 2.5 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
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SH8M51GZETB

Codice DigiKey
SH8M51GZETBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SH8M51GZETBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SH8M51GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
SH8M51GZETB
Descrizione
MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 3 A (Ta), 2.5 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3 A (Ta), 2.5 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
170mohm a 3A, 10V, 290mohm a 2.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8.5nC a 5V, 12.5nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
610pF a 25V, 1550pF a 25V
Potenza - Max
1,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOP
Codice componente base
SH8M51
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.78000Fr. 1.78
10Fr. 1.14500Fr. 11.45
100Fr. 0.77800Fr. 77.80
500Fr. 0.62092Fr. 310.46
1’000Fr. 0.59854Fr. 598.54
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.51578Fr. 1’289.45
5’000Fr. 0.48900Fr. 2’445.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.78000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.92418