Name: UT6ME5TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-UT6ME5TCRTR-ND
Price: 0.39997 CHF
Availability: InStock

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UT6ME5TCR
Codice DigiKey	846-UT6ME5TCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-UT6ME5TCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-UT6ME5TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	UT6ME5TCR
Descrizione	MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 2A (Ta), 1A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	UT6ME5TCR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,8nC a 10V, 6,7nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 90pF a 50V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore/involucro 6-PowerUDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2A (Ta), 1A (Ta)	Contenitore del fornitore HUML2020L8
RDSon (max) a Id, Vgs 207mohm a 2A, 10V, 840mohm a 1A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.37000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.39997

UT6ME5TCR