Name: UT6ME5TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-UT6ME5TCRTR-ND
Price: 0.41078 CHF
Availability: InStock

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UT6ME5TCR
Codice DigiKey	846-UT6ME5TCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-UT6ME5TCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-UT6ME5TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	UT6ME5TCR
Descrizione	MOSFET N/P-CH 100V 2A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 2A (Ta), 1A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	UT6ME5TCR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2A (Ta), 1A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	207mohm a 2A, 10V, 840mohm a 1A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2,8nC a 10V, 6,7nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	90pF a 50V
Potenza - Max	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-PowerUDFN
Contenitore del fornitore	HUML2020L8

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Nastrato in bobina (TR)