Name: SH8M51GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8M51GZETBTR-ND
Price: 2.01066 CHF
Availability: InStock

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SH8M51GZETB
Codice DigiKey	SH8M51GZETBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SH8M51GZETBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SH8M51GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SH8M51GZETB
Descrizione	MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 3 A (Ta), 2.5 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.5nC a 5V, 12.5nC a 5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 610pF a 25V, 1550pF a 25V
Stato componente Non per nuovi progetti	Potenza - Max 1,4W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta), 2.5 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SOP
RDSon (max) a Id, Vgs 170mohm a 3A, 10V, 290mohm a 2.5A, 10V	Codice componente base SH8M51

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SP8M51HZGTB	Rohm Semiconductor	116	846-SP8M51HZGTBCT-ND	Fr. 1.99000	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.86000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.01066

SH8M51GZETB