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SP8M4FU6TB è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SP8M4FU6TB | |
|---|---|
Codice DigiKey | SP8M4FU6TBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SP8M4FU6TB |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 9 A, 7 A 2W A montaggio superficiale 8-SOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 9 A, 7 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18mohm a 9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 21nC a 5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1190pF a 10V | |
Potenza - Max | 2W | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOP | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera