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MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Montaggio su telaio
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GCMX008B120B3H1P

Codice DigiKey
1560-GCMX008B120B3H1P-ND
Produttore
Codice produttore
GCMX008B120B3H1P
Descrizione
GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Montaggio su telaio
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 100A, 18V
Produttore
SemiQ
Vgs(th) max a Id
4V a 120mA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
493nC a 18V
Confezionamento
Scatola
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
14400pF a 800V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
500W (Tc)
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione
4 canale N (ponte intero)
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Contenitore/involucro
Modulo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
120 A (Tc)
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 69.85000Fr. 69.85
10Fr. 54.41900Fr. 544.19
100Fr. 52.08590Fr. 5’208.59
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 69.85000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 75.50785