Nuovo prodotto
GCMX010A120B3H1P
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GCMX010A120B3H1P

Codice DigiKey
1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Produttore
Codice produttore
GCMX010A120B3H1P
Descrizione
1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 600W (Tc) Montaggio su telaio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
SemiQ
Serie
Confezionamento
Scatola
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
4 canale N (ponte intero)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
201A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
14mohm a 100A, 20V
Vgs(th) max a Id
4V a 40mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
428nC a 20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
10900pF a 800V
Potenza - Max
600W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
-
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Tutti i prezzi sono in CHF
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Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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10Fr. 95.20000Fr. 952.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 108.70000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 117.50470