
GCMX010A120B3H1P | |
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Codice DigiKey | 1560-GCMX010A120B3H1P-ND |
Produttore | |
Codice produttore | GCMX010A120B3H1P |
Descrizione | 1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 600W (Tc) Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | SemiQ | |
Serie | ||
Confezionamento | Scatola | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | Carburo di silicio (SiC) | |
Configurazione | 4 canale N (ponte intero) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 201A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14mohm a 100A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 40mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 428nC a 20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 10900pF a 800V | |
Potenza - Max | 600W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Montaggio su telaio | |
Contenitore/involucro | Modulo | |
Contenitore del fornitore | - |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 108.70000 | Fr. 108.70 |
10 | Fr. 95.20000 | Fr. 952.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 108.70000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 117.50470 |