Name: S2M0160120K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0160120K-ND
Price: 4.8645 CHF
Availability: InStock

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S2M0160120K
Codice DigiKey	1655-S2M0160120K-ND
Produttore	SMC Diode Solutions
Codice produttore	S2M0160120K
Descrizione	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	SMC Diode Solutions
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	17 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	196mohm a 10A, 20V
Vgs(th) max a Id	4V a 2,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	26.5 nC @ 20 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	513 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 4.50000	Fr. 4.50
10	Fr. 3.00200	Fr. 30.02
300	Fr. 1.89243	Fr. 567.73
600	Fr. 1.76060	Fr. 1’056.36
1’200	Fr. 1.71360	Fr. 2’056.32

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