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STMicroelectronics
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Scheda tecnica
Canale N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) A montaggio superficiale HU3PAK
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SCT019H120G3AG

Codice DigiKey
497-SCT019H120G3AG-ND
Produttore
Codice produttore
SCT019H120G3AG
Descrizione
SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) A montaggio superficiale HU3PAK
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
SCT019H120G3AG Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
28mohm a 50A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,2V a 2,3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
121 nC @ 18 V
Vgs (max)
+18V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3465 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
555W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
HU3PAK
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