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Equivalente parametrico


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 9.47731
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 16.75000
Scheda tecnica
Canale N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) A montaggio superficiale HU3PAK
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SCT019H120G3AG

Codice DigiKey
497-SCT019H120G3AG-ND
Produttore
Codice produttore
SCT019H120G3AG
Descrizione
SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) A montaggio superficiale HU3PAK
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
SCT019H120G3AG Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
121 nC @ 18 V
Produttore
Vgs (max)
+18V, -5V
Confezionamento
Sfuso
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3465 pF @ 800 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
555W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
Contenitore del fornitore
HU3PAK
RDSon (max) a Id, Vgs
28mohm a 50A, 18V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
4,2V a 2,3mA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SCT020H120G3AGSTMicroelectronics0497-SCT020H120G3AG-NDFr. 9.47731Equivalente parametrico
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronics0497-SCT020HU120G3AGCT-NDFr. 16.75000Equivalente parametrico
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Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 9.02144Fr. 9’021.44
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 9.75218