Name: SCT020HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT020HU120G3AGTR-ND
Price: 18.10675 CHF
Availability: OutOfStock

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SCT020HU120G3AG
Codice DigiKey	497-SCT020HU120G3AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-SCT020HU120G3AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-SCT020HU120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCT020HU120G3AG
Descrizione	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 100 A (Tc) 555W (Tc) A montaggio superficiale HU3PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 121 nC @ 18 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) +18V, -5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3465 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 555W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore del fornitore HU3PAK
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 50A, 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Vgs(th) max a Id 4,2V a 2,3mA

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SCT019H120G3AG	STMicroelectronics	0	497-SCT019H120G3AG-ND	Fr. 9.02144	Equivalente parametrico
SCT020H120G3AG	STMicroelectronics	0	497-SCT020H120G3AG-ND	Fr. 9.47731	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
600	Fr. 8.85528	Fr. 5’313.17

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 16.75000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 18.10675

SCT020HU120G3AG