Name: SCT025W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025W120G3AG-ND
Price: 17.91217 CHF
Availability: InStock

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SCT025W120G3AG
Codice DigiKey	497-SCT025W120G3AG-ND
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCT025W120G3AG
Descrizione	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 56 A (Tc) 388W (Tc) Foro passante HiP247™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	56 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	37mohm a 25A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,2V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	73 nC @ 18 V
Vgs (max)	+18V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1990 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	388W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	HiP247™
Contenitore/involucro	TO-247-3

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 16.57000	Fr. 16.57
30	Fr. 12.74433	Fr. 382.33
120	Fr. 11.97208	Fr. 1’436.65

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