Name: NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTHL022N120M3S-ND
Price: 16.67983 CHF
Availability: InStock

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NTHL022N120M3S
Codice DigiKey	5556-NTHL022N120M3S-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTHL022N120M3S
Descrizione	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 68 A (Tc) 352W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	68 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	30mohm a 40A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,4V a 20mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	139 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3130 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	352W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-3
Contenitore/involucro	TO-247-3

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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10	Fr. 11.02700	Fr. 110.27
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