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Microchip Technology
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Prezzo unitario : Fr. 29.47000
Scheda tecnica
TO-247-3
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TO-247-3
TO-247-3

SCTWA90N65G2V-4

Codice DigiKey
497-SCTWA90N65G2V-4-ND
Produttore
Codice produttore
SCTWA90N65G2V-4
Descrizione
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Tempi di consegna standard del produttore
17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 119 A (Tc) 565W (Tc) Foro passante HiP247™ conduttori lunghi
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCTWA90N65G2V-4 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
24mohm a 50A, 18V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3380 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
565W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
HiP247™ conduttori lunghi
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 22.65000Fr. 22.65
30Fr. 16.41067Fr. 492.32
120Fr. 14.05000Fr. 1’686.00
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 22.65000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 24.48465