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SCTWA90N65G2V | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-SCTWA90N65G2V-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SCTWA90N65G2V |
Descrizione | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 119 A (Tc) 565W (Tc) Foro passante TO-247 conduttori lunghi |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SCTWA90N65G2V Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 24mohm a 50A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 157 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3380 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 565W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore del fornitore | TO-247 conduttori lunghi | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 477
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 22.58000 | Fr. 22.58 |
| 30 | Fr. 14.63000 | Fr. 438.90 |
| 120 | Fr. 14.00000 | Fr. 1’680.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 22.58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 24.40898 |
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