STB12NM50ND STMicroelectronics | Prodotti a semiconduttore discreti

STB12NM50ND è obsoleto e non è più in produzione.

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STB12NM50ND
Codice DigiKey	497-10026-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB12NM50ND
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 11 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB12NM50ND Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	FDmesh™ II
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	380mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	850 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	STB12N