Name: STGB6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGB6M65DF2TR-ND
Price: 1.53502 CHF
Availability: InStock

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STGB6M65DF2
Codice DigiKey	497-STGB6M65DF2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STGB6M65DF2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STGB6M65DF2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STGB6M65DF2
Descrizione	IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 12 A 88 W A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STGB6M65DF2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	M
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) max	12 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	24 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2V a 15V, 6A
Potenza - Max	88 W
Energia di commutazione	36µJ (on), 200µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	21.2 nC
Td (on/off) a 25°C	15ns/90ns
Condizione di test	400V, 6A, 22ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (Trr)	140 ns
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	D2PAK
Codice componente base	STGB6

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)