Name: STGD6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16966-2-ND
Price: 1.44854 CHF
Availability: InStock

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STGD6M65DF2
Codice DigiKey	497-16966-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-16966-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-16966-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STGD6M65DF2
Descrizione	IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 12 A 88 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STGD6M65DF2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Energia di commutazione 36µJ (on), 200µJ (off)
Produttore STMicroelectronics	Tipo di ingresso Standard
Serie M	Carica del gate 21.2 nC
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Td (on/off) a 25°C 15ns/90ns
Stato componente Attivo	Condizione di test 400V, 6A, 22ohm, 15V
Tipo di IGBT Trench Field Stop	Tempo di recupero inverso (Trr) 140 ns
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 650 V	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Collettore (Ic) max 12 A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 24 A	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vce(on) max a Vge, Ic 2V a 15V, 6A	Contenitore del fornitore DPAK
Potenza - Max 88 W	Codice componente base STGD6

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)