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Canale N 30 V 90 A (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN

STL90N3LLH6

Codice DigiKey
497-10991-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STL90N3LLH6
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT
Tempi di consegna standard del produttore
13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 90 A (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (5x6)
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Modelli EDA/CAD
STL90N3LLH6 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,5mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1690 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerFlat™ (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
STL90
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.42943Fr. 1’288.29
6’000Fr. 0.40400Fr. 2’424.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.42943
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.46421