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STW70N65M2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | STW70N65M2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | STW70N65M2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 63 A (Tc) 446W (Tc) Foro passante TO-247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STW70N65M2 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 117 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5140 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 446W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-247-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 46mohm a 31,5A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH80N65X2 | IXYS | 3’650 | 238-IXFH80N65X2-ND | Fr. 13.07000 | Simile |
| IXFX90N60X | IXYS | 0 | IXFX90N60X-ND | Fr. 9.41633 | Simile |
| IXKH70N60C5 | IXYS | 210 | 238-IXKH70N60C5-ND | Fr. 20.73000 | Simile |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 115 | IXTH80N65X2-ND | Fr. 12.79000 | Simile |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | Fr. 12.10000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 600 | Fr. 4.59232 | Fr. 2’755.39 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.59232 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.96430 |
