Name: TSM250N02DCQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM250N02DCQRFGTR-ND
Price: 0.72427 CHF
Availability: InStock

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TSM250N02DCQ RFG
Codice DigiKey	TSM250N02DCQRFGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TSM250N02DCQRFGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TSM250N02DCQRFGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Taiwan Semiconductor Corporation
Codice produttore	TSM250N02DCQ RFG
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 5,8 A (Tc) 620mW (Tc) A montaggio superficiale 6-TDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TSM250N02DCQ RFG Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Taiwan Semiconductor Corporation
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,8 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	25mohm a 4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	800mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	775pF a 10V
Potenza - Max	620mW (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-VDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	6-TDFN (2x2)
Codice componente base	TSM250

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Nastrato in bobina (TR)