Name: CSD13302W
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-48118-2-ND
Price: 0.49726 CHF
Availability: InStock

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CSD13302W
Codice DigiKey	296-48118-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-48118-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-48118-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD13302W
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 12 V 1,6 A (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale 4-DSBGA (1x1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD13302W Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,3V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.8 nC @ 4.5 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 862 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,8W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore 4-DSBGA (1x1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,6 A (Ta)	Contenitore/involucro 4-UFBGA, DSBGA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base CSD13302
RDSon (max) a Id, Vgs 17,1mohm a 1A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.46000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.49726

CSD13302W