Name: CSD23202W10
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-40000-2-ND
Price: 0.56212 CHF
Availability: InStock

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CSD23202W10
Codice DigiKey	296-40000-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-40000-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-40000-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD23202W10
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 2,2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 4-DSBGA (1x1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD23202W10 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.8 nC @ 4.5 V
Serie NexFET™	Vgs (max) -6V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 512 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore 4-DSBGA (1x1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,2 A (Ta)	Contenitore/involucro 4-UFBGA, DSBGA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Codice componente base CSD23202
RDSon (max) a Id, Vgs 53mohm a 500mA, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.52000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.56212

CSD23202W10