Name: CSD23202W10
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-40000-2-ND
Price: 0.5405 CHF
Availability: InStock

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CSD23202W10
Codice DigiKey	296-40000-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-40000-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-40000-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD23202W10
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 2,2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 4-DSBGA (1x1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD23202W10 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	53mohm a 500mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	-6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	512 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	4-DSBGA (1x1)
Contenitore/involucro	4-UFBGA, DSBGA
Codice componente base	CSD23202

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Nastrato in bobina (TR)