Name: CSD19537Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-42632-2-ND
Price: 1.84851 CHF
Availability: InStock

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CSD19537Q3T
Codice DigiKey	296-42632-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-42632-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-42632-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19537Q3T
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 50 A (Ta) 2,8W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19537Q3T Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	14,5mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1680 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,8W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	CSD19537Q3

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Nastrato in bobina (TR)