Name: GT40QR21(STA1,E,D
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT40QR21(STA1ED-ND
Price: 4.58344 CHF
Availability: InStock

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GT40QR21(STA1,E,D
Codice DigiKey	264-GT40QR21(STA1ED-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	GT40QR21(STA1,E,D
Descrizione	IGBT 1200V 40A TO-3P
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT 1200 V 40 A 230 W Foro passante TO-3P(N)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	-
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max	40 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	80 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,7V a 15V, 40A
Potenza - Max	230 W
Energia di commutazione	-, 290µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Td (on/off) a 25°C	-
Condizione di test	280V, 40A, 10ohm, 20V
Tempo di recupero inverso (Trr)	600 ns
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-3P-3, SC-65-3
Contenitore del fornitore	TO-3P(N)
Codice componente base	GT40QR21

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 4.24000	Fr. 4.24
25	Fr. 2.45360	Fr. 61.34
100	Fr. 2.02620	Fr. 202.62
500	Fr. 1.68434	Fr. 842.17
1’000	Fr. 1.65100	Fr. 1’651.00

Contenitore standard del produttore

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