Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 5.65363 CHF
Availability: InStock

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GT50JR22(STA1,E,S)
Codice DigiKey	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	GT50JR22(STA1,E,S)
Descrizione	IGBT 600V 50A TO-3P
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT 600 V 50 A 230 W Foro passante TO-3P(N)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	-
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	600 V
Corrente - Collettore (Ic) max	50 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	100 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,2V a 15V, 50A
Potenza - Max	230 W
Energia di commutazione	-
Tipo di ingresso	Standard
Td (on/off) a 25°C	-
Condizione di test	-
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-3P-3, SC-65-3
Contenitore del fornitore	TO-3P(N)

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 5.23000	Fr. 5.23
25	Fr. 3.07360	Fr. 76.84
100	Fr. 2.55870	Fr. 255.87
500	Fr. 2.18500	Fr. 1’092.50

Contenitore standard del produttore

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